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반도체 공정과 시뮬레이션 학습에 관한 글.
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산화로 카드 읽기 — 온도 로그·공정 시간·모니터 두께는 각각 무엇을 말하나
열산화 미션의 카드는 플라즈마·습식 장비와 모양이 다릅니다. 퍼니스 온도 로그(두 종류의 열전대), 공정 시간 로그, 모니터 웨이퍼 두께 측정. 각 카드가 산화로의 어느 계기에서 나온 기록인지, 온도 제어 루프에서 SP 와 PV 를 읽는 법, 산화막 두께가 어디에 나타나는지를 설명합니다. 답은 없습니다.
·7분 읽기·반도체 산화열산화퍼니스열전대C-V트러블슈팅Decision Lab
Decision Lab #06 안내 — 「레시피는 그대로인데 산화막이 두꺼워졌다」가 무슨 상황이고, 30분 동안 무엇을 하게 되나
반도체 공장을 모르는 사람을 위한 미션 #06 Oxide Thickness Excursion 안내. 게이트 산화가 무엇인지, 산화로와 모니터 웨이퍼가 어떻게 돌아가는지, 산화막 두께를 왜 C-V 로 재는지, 「장비는 세팅대로 돌았다고 말하는데 결과가 다르다」가 왜 이 미션의 핵심인지, 화면의 7단계에서 무엇을 누르고 쓰는지, 기록을 대조하는 틀까지. 답은 없습니다.
·11분 읽기·반도체 취업공정 엔지니어열산화확산 공정C-V트러블슈팅Decision Lab미션 안내
Decision Lab #01 안내 — 「식각 깊이가 20% 얕게 나왔다」는 게 무슨 상황이고, 30분 동안 무엇을 하게 되나
반도체 공장을 모르는 사람을 위한 미션 #01 Etch Depth Excursion 안내. Lot·레시피·baseline·Spec이 무슨 뜻인지, 「같은 레시피인데 결과가 다르다」가 왜 사건인지, 화면의 7단계에서 무엇을 누르고 무엇을 쓰는지, 어떤 틀로 생각하면 되는지를 한 편에 모았습니다. 답은 없습니다 — 상황과 절차와 생각하는 법만 있습니다.
·12분 읽기·반도체 취업공정 엔지니어플라즈마 식각트러블슈팅Decision Lab미션 안내
Decision Lab #02 안내 — 「저항이 좋아졌는데 불량이다」는 게 무슨 말이고, 30분 동안 무엇을 하게 되나
반도체 공장을 모르는 사람을 위한 미션 #02 Metal Line Residue 안내. 금속 배선을 플라즈마로 깎는 공정이 무엇인지, 라인 저항이 왜 관리 지표인지, 「낮아졌는데 왜 불량인가」의 답이 되는 SPC 관리 한계가 무엇인지, 화면의 7단계에서 무엇을 누르고 쓰는지, 장비 로그와 측정 결과를 함께 읽는 틀까지. 답은 없습니다.
·12분 읽기·반도체 취업공정 엔지니어금속 식각RIESPC트러블슈팅Decision Lab미션 안내
Decision Lab #03 안내 — 「증착에서 난 들뜸, 원인은 두 스텝 전」이 무슨 상황이고, 30분 동안 무엇을 하게 되나
반도체 공장을 모르는 사람을 위한 미션 #03 Defect Excursion 안내. 세정 → 산화 → 금속 증착으로 이어지는 공정 사슬이 무엇인지, 막 들뜸과 시트저항이 왜 같이 튀는지, 「증상이 난 스텝이 원인 스텝이 아닐 수 있다」가 왜 이 미션의 핵심인지, 화면의 7단계에서 무엇을 누르고 쓰는지, 앞 스텝의 기록을 대조하는 틀까지. 답은 없습니다.
·12분 읽기·반도체 취업공정 엔지니어세정스퍼터 증착결함트러블슈팅Decision Lab미션 안내
Decision Lab #04 안내 — 「고장이 아닌데 조건을 새로 잡아야 한다」는 게 무슨 상황이고, 30분 동안 무엇을 하게 되나
반도체 공장을 모르는 사람을 위한 미션 #04 Condition Setup 안내. 앞의 세 미션과 달리 장비는 정상이고 고칠 것이 없습니다. 규격이 바뀌어 기존 양산 조건(POR)이 더는 맞지 않는 상황이 무엇인지, 네 가지 규격을 동시에 만족한다는 것이 왜 어려운지, 화면의 7단계에서 무엇을 누르고 쓰는지, 조건 후보를 비교하고 하나를 승인하는 틀까지. 답은 없습니다.
·11분 읽기·반도체 취업공정 엔지니어공정 조건트렌치 식각트레이드오프Decision Lab미션 안내
Decision Lab #05 안내 — 「깊이는 됐는데 측벽이 무너졌다」는 게 무슨 상황이고, 30분 동안 무엇을 하게 되나
반도체 공장을 모르는 사람을 위한 미션 #05 Profile Excursion 안내. 트렌치의 측벽각이 왜 깊이만큼 중요한 규격인지, 「깊이는 얼추 나왔는데 측벽이 기울었다」가 왜 사건인지, 화면의 7단계에서 무엇을 누르고 쓰는지, 깊이와 측벽각이 같은 방향으로 움직였는지부터 보는 틀까지. 답은 없습니다.
·11분 읽기·반도체 취업공정 엔지니어플라즈마 식각측벽 프로파일SEM트러블슈팅Decision Lab미션 안내
Process Engineer Decision Lab 사용법 — 30분 안에 원인을 찾고 라인을 살리는 7단계
취업 챌린지 「Decision Lab」의 화면을 처음 여는 사람을 위한 안내. 브리핑·관찰·데이터 카드·가설·점검·브리지·리포트의 7단계가 무엇을 묻는지, 카드 모드와 개략도 모드의 차이, 면접관 선택, 리포트를 읽는 법까지. 정답은 없고 사용법만 있습니다.
·8분 읽기·반도체 취업공정 엔지니어트러블슈팅Decision Lab미니팹면접 준비
압력 제어 루프 카드 읽기 — 게이지 표시값·스로틀 개도·공정 알람은 각각 무엇을 말하나
식각 장비의 챔버 압력은 게이지가 읽고, 컨트롤러가 세팅과 비교하고, 스로틀 밸브가 배기를 조여 맞춥니다. Decision Lab 의 압력 로그·밸브 개도 로그·공정 알람 로그 카드가 이 루프의 어느 자리에서 나온 기록인지, 세 카드를 어떤 순서로 교차해 읽는지 설명합니다. 답은 없습니다.
·7분 읽기·반도체 공정압력 제어APC스로틀 밸브진공 게이지트러블슈팅Decision Lab
RF 카드 읽기 — 전달 파워 SP/PV·DC 바이어스·매처 위치는 각각 무엇을 말하나
플라즈마 식각 장비의 RF 로그 카드에는 전달 파워, DC 자기 바이어스, 매처 Load/Tune 위치가 함께 찍힙니다. 이 네 숫자가 RF 체인의 어느 자리에서 나오는지, ICP(소스·바이어스 분리)와 CCP(단일 파워)에서 무엇이 다른지, 카드 혼자서는 왜 원인을 못 가르는지를 설명합니다. 답은 없습니다.
·7분 읽기·반도체 공정RF 플라즈마매처DC 바이어스ICPRIE트러블슈팅Decision Lab
계측 카드 읽기 — 4단자 서펜타인 저항·프로파일러 단차·SEM 단면이 각각 말하는 것
Decision Lab 의 측정 카드는 세 가지입니다. 4단자(Kelvin) 서펜타인 라인 저항, 프로파일러 단차, SEM 단면. 각 계기가 무엇을 재고 무엇을 재지 못하는지, 「마스크 포함/제외」 같은 기준면 표기가 왜 붙는지, 숫자보다 먼저 봐야 할 것이 무엇인지 설명합니다. 답은 없습니다.
·8분 읽기·반도체 계측4-point probe프로파일러SEM 단면라인 저항트러블슈팅Decision Lab
습식 벤치 카드 읽기 — 약액 모니터·온도 로그·린스 로그·검사 이력은 각각 무엇을 말하나
습식 세정(SC-1) 미션의 카드는 플라즈마 장비와 모양이 다릅니다. 약액 모니터, 온도 로그, 린스 로그, 파티클 검사 이력. 각 카드가 벤치의 어느 계기에서 나온 기록인지, 습식에서도 SP 와 PV 를 같은 눈으로 읽는 법, 세정 결과가 어디에 나타나는지를 설명합니다. 답은 없습니다.
·6분 읽기·반도체 세정SC-1습식 공정파티클린스트러블슈팅Decision Lab
ARDE — 같은 15분인데 왜 좁은 비아만 덜 파일까 (ICP 비아홀 식각 실습)
지름만 0.5/1/2/4µm로 다른 비아홀을 같은 ICP 레시피로 15분 식각하면 깊이가 1040nm와 1550nm로 갈립니다. 종횡비 의존 식각(ARDE)의 세 기전, Si:SiO₂ 선택비 190:1로 버틴 하드마스크, source를 올리면 오히려 이온 에너지가 내려가는 ICP의 구조까지 11단계 미니팹 실습으로 정리했습니다.
·9분 읽기·미니팹ICP 식각ARDE비아홀종횡비SiO₂ 하드마스크
마이크로로딩 효과 — 촘촘한 패턴은 왜 덜 파일까 (RIE 식각 실습)
개구 폭은 2µm로 같은데 dense는 690nm, iso는 826nm까지 파입니다. 주변 패턴 밀도가 식각 깊이를 가르는 마이크로로딩 효과와, 이 차이를 프로파일로미터로는 왜 볼 수 없는지(팁 컨볼루션 267.9nm)를 미니팹 RIE 실습으로 정리했습니다.
·9분 읽기·미니팹RIE 식각마이크로로딩ARDE패턴 밀도프로파일로미터
SiO₂ 하드마스크로 언더컷 만들기 — 습식 등방 식각 14단계 사용 가이드
세미팹AI 미니팹 습식 등방 언더컷(SiO₂ 하드마스크) 시나리오. BOE로 창을 열고 H₃PO₄로 Al을 등방 식각해 마스크 처마와 사발 캐비티를 만드는 과정을, 조절할 파라미터와 결과 읽는 법까지 정리한 사용 가이드입니다.
·6분 읽기·미니팹습식 식각등방 식각SiO₂ 하드마스크언더컷식각 선택비
반디는 왜 'LLM 챗봇'이 아니라 'Kernel 위의 에이전트'로 설계됐나
세미팹AI의 반도체 공정 튜터 반디는 LLM 하나 붙인 챗봇이 아니라, 그 위에 Kernel 구조를 얹어 설계됐습니다. 상황·기억·상태를 관리하는 9개 관리자, 근거 기반 응답 원칙, 기본형·심화형 능력 맵과 로드맵까지 정리했습니다.
·7분 읽기·반디세미팹AILLM 에이전트Kernel 구조AI 반도체 튜터자율실험실
금속 리프트오프 미니 플로우 사용 가이드 — 11단계를 무엇을 보며 돌릴 것인가
세미팹AI 미니팹 Metal Lift-off Mini Flow. Si→SiO₂→Al 금속 라인(5µm)을 리프트오프(가법)로 만드는 11단계를, 각 단계에서 볼 것·결과 숫자 읽는 법·두 번째 실행부터의 실습 시나리오까지 정리한 사용 가이드입니다.
·9분 읽기·미니팹반도체 공정 시나리오Metal Lift-off Mini Flow금속 리프트오프4점 탐침 면저항
미니팹으로 돌려보는 첫 시나리오 — Metal Pattern Mini Flow 사용 가이드
세미팹AI 미니팹의 첫 시나리오 Metal Pattern Mini Flow. Si→SiO₂→Al 금속 라인(5µm) 구조를 13단계로 만들고 저항으로 검증하는 표준 팹 플로우의 목적·사용법·결과 리포트 읽는 법을 정리합니다.
·7분 읽기·미니팹반도체 공정 시나리오Metal Pattern Mini Flow금속 패턴공정 흐름 실습
반도체 계측 장비 5가지 — 만든 공정을 어떻게 확인하나
단차계·광학현미경·4-Point Probe·LCR 미터·SEM. 미니팹에서 쓰는 계측 장비 5가지를 "공정 조건으로 예측 → 장비로 실측 → 차이 분석" 관점으로 정리합니다.
·8분 읽기·반도체 계측반도체 공정 측정단차계SEM4-point probe미니팹
반도체 8대 공정 순서 — 왜 이 순서이고 무엇을 조절하나
반도체 8대 공정(산화·포토·식각·증착·이온주입·확산·금속배선·EDS)이 왜 이 순서로 배치되는지 열예산 개념으로 풀고, 각 공정의 핵심 변수와 반복 루프 구조를 정리합니다. 시뮬레이터로 어디까지 직접 다룰 수 있는지도 함께 짚는 반도체 공정 입문 가이드입니다.
·8분 읽기·반도체 8대 공정반도체 공정 순서반도체 공정 입문산화 포토 식각 증착열예산반도체 교육
LPCVD PECVD 차이 — 온도가 가르는 박막 증착 공정
같은 SiO₂인데 LPCVD는 400~800°C 고온 배치로, PECVD는 200~400°C 저온 플라즈마로 올립니다. Arrhenius 증착 속도와 thermal budget으로 두 CVD 박막 증착 공정의 차이와 선택 기준을 정리합니다.
·8분 읽기·LPCVDPECVDCVD 박막 증착저온 증착thermal budget반도체 공정 시뮬레이션
반도체 공정 시뮬레이터로 배우는 법 — 감각을 채우는 학습 가이드
책으로 반도체 공정을 배우면 식은 알아도 파라미터 감각이 비어 있습니다. 온도·도즈·압력을 직접 만지는 반도체 공정 시뮬레이터를 3단계 학습 흐름과 기관 수업 구성에 어떻게 끼워 넣을지, 모듈별 추천 학습 시간까지 정리합니다.
·7분 읽기·반도체 공정 시뮬레이터반도체 교육반도체 공정 학습시뮬레이션 실습학습 가이드