LPCVD

Low Pressure Chemical Vapor Deposition

LPCVD 공정 소개

LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, 저압화학기상증착)는 반도체 8대 공정의 박막 증착 영역에서 가장 균일성이 좋은 공정으로 꼽힙니다. SiO₂는 약 400~500°C, Si₃N₄는 700~780°C, Poly-Si는 580~650°C — 같은 장비에서도 박막마다 온도창이 완전히 다른데, 이유는 각 전구체가 Arrhenius 식에서 갖는 활성화 에너지가 다르기 때문입니다. 이 시뮬레이터는 온도·압력·가스 유량을 슬라이더로 조정하면 증착 속도와 균일도가 즉시 그래프로 표시되어, "왜 이 온도에서 이 박막을 증착하는가"를 한 번에 이해할 수 있게 설계했습니다.

Overview

Explore why different LPCVD processes require different temperatures. Learn the chemistry behind SiO₂ (400-500°C), Si₃N₄ (700-780°C), and Poly-Si (580-650°C) depositions.

What it demonstrates

  • SiO₂, Si₃N₄, Poly-Si process modes
  • Temperature-dependent chemistry
  • Activation energy principles

Interactive Demo: LPCVD Process Modes

Explore three different LPCVD processes (SiO₂, Si₃N₄, Poly-Si) and understand why each requires different temperatures based on precursor chemistry and activation energy.

LPCVD SiO₂ Deposition Simulator

Low Pressure Chemical Vapor Deposition

Gas Control

SiH₄
100 sccm
O₂
200 sccm
N₂
500 sccm

Heater Zones

Zone 1OFF
25°C
Zone 2OFF
25°C
Zone 3OFF
25°C
Zone 4OFF
25°C
25°CZ125°CZ225°CZ325°CZ4GAS INPUMP
Time
00:00
Thickness
0.0nm
Avg Temp
25°C
Dep. Rate
0.0nm/m
R.I. (n)
---
Stress
---MPa
Density
---g/cm³
Uniformity
---
Dielectric (k)---
Etch Rate (BOE)---
Pressure0.80 Torr
O₂/SiH₄ Ratio---
SiH₄100 sccm
O₂200 sccm
N₂500 sccm

More advanced simulations including batch uniformity optimization and gas flow modeling are available under institutional access.

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