Plasma Etching

Plasma Etching 공정 소개

플라즈마 식각은 반도체 8대 공정 중 패터닝 단계의 마무리를 책임지는 공정입니다. RIE는 반응 가스와 이온 충돌을 동시에 사용해 수직 프로파일을 만들고, ICP는 플라즈마 밀도와 이온 에너지를 분리 제어해 선택비를 끌어올립니다. 가스 종류(CF₄, SF₆, Cl₂…)에 따라 식각되는 재료가 정해지고, 압력과 RF 파워의 조합이 프로파일을 결정합니다. 실제 장비 한 대 가격은 수억 원이지만 이 시뮬레이터에서는 같은 파라미터를 횟수 제한 없이 바꿔보며 식각 속도·선택비·프로파일이 어떻게 따라 움직이는지 직접 확인할 수 있습니다.

Overview

Analyze reactive ion etching and inductively coupled plasma processes. Explore etch rates, selectivity, and profile control.

What it demonstrates

• Etch rate calculation
• Selectivity optimization
• Profile simulation

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