Dopant Diffusion

Dopant Diffusion 공정 소개

도펀트 확산은 실리콘 기판 안에서 B, P, As 같은 불순물 원자가 농도 차이에 따라 스스로 이동해 p-n 접합을 만드는 공정입니다. 지배 방정식은 Fick의 1·2법칙이고, 표면 농도가 일정한 pre-deposition 단계에서는 erfc 프로파일, 표면이 닫힌 drive-in 단계에서는 Gaussian 프로파일이 나옵니다. 이 시뮬레이터는 온도와 시간을 바꾸면 농도 프로파일이 어떻게 깊어지고 완만해지는지, junction depth가 어떻게 계산되는지를 그래프 한 장으로 보여줍니다. 확산 이론 수업과 실제 공정 결과 사이의 간극을 메우는 학습 도구로 설계됐습니다.

Overview

Model dopant diffusion in silicon using Fick's laws. Calculate concentration profiles and junction depths for various process conditions.

What it demonstrates

• Fick's law simulation
• Concentration profile prediction
• Junction depth calculation

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